Description
Ce travail met en vidence l’importance du silicium poreux en prsence de ttrachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impurets lors de la croissance et l’obtention de couches minces de trs grande qualit. La premire partie est consacre une gnralit sur les proprits des couches minces de Si. Dans la deuxime partie nous prsentons les proprits du silicium poreux (SP) et son effet de gettering. L’effet de gettering par SP en prsence du SiCl4 a t valu par l’augmentation prononce de la mobilit des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans la troisime partie est prsent le montage utilis, ainsi que les conditions d’laboration des couches de silicium. La dernire partie donne les rsultats des caractrisations structurales et lectriques des couches minces labores sur des substrats de SP. Les rsultats montrent que la mobilit des porteurs varie de 107 186 cmV-1s-1 et est plus leve que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD. Messaoud HAJJI, docteur en physique, tudes de physique fondamentale l’Universit Tunis Elmanar en Tunisie, Actuellement matre assistant l’ISECS de Sfax et chercheur au laboratoire de photovoltaque du centre de recherches et des technologies de l’nergie au technopole de Borj-Cedria
